В результате недавней утечки технологии, китайская полупроводниковая компания ChangXin Memory разработала и начала серийное производство микросхем памяти LPDDR5 DRAM, что вызвало настоящий кризис на рынке.
Источник: Korea biz wire
Читайте также: Экс-главу Samsung обвинили в краже технологий для строительства завода в Китае
Разрыв между ChangXin Memory и гигантом Samsung может сократиться всего до четырех лет, если сообщения о независимой разработке подтвердятся.
Ситуация осложнилась после появления тревожных новостей о предполагаемой передаче основной полупроводниковой технологии Samsung в китайскую компанию. Прокуроры получили файлы, предположительно переданные бывшим менеджером Samsung Electronics китайской компании, и в настоящее время ведется расследование, в ходе которого могут появиться ордера на арест.
Файлы, которые попали в руки прокуроров, включают все восемь основных процессов производства полупроводников, состоящих из 600 этапов. Одной из ключевых украденных технологий является технология осаждения, которая является фундаментальной и конфиденциальной. По версии прокуроров, компания ChangXin Memory, основанная в 2016 году, могла использовать технологии, изложенные в документе, при строительстве завода в 2020 году и начале производства DRAM. Утечка технологии имеет серьезные последствия для индустрии полупроводников и может нанести значительный ущерб Samsung. Технология осаждения является ключевым компонентом процесса миниатюризации полупроводников, и ее раскрытие может привести к разглашению тысячелетнего опыта.
Предполагаемый злоумышленник, именуемый Ким, предположительно получил значительную компенсацию от китайской компании за передачу технологии. Прокуроры оценивают ущерб, понесенный в результате этого инцидента, в 2,3 триллиона вон.
Напомним, что Япония ужесточила наказание за утечку данных об оборонных технологиях.
Только главные новости в нашем Telegram, Facebook и GoogleNews!
Tweet